Vishay MOSFET canal P, SOIC 3,8 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 150 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.55mm, MPN: SI9407BDY-T1-GE3
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Vishay MOSFET Canal P, SOIC 3,8 A 60 V, 8 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal P, SOIC 3,8 A 60 V, 8 Broches | |
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