STMicroelectronics MOSFET canal N, PowerFLAT 5 x 6 2,5 A 800 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 38 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 0.95mm, MPN: STL4N80K5
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
STMicroelectronics MOSFET Canal N, PowerFLAT 5 X 6 2,5 A 800 V, 8 Broches
Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, PowerFLAT 5 X 6 2,5 A 800 V, 8 Broches | |
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