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Vishay Résistance Fixe CMS 1kΩ, Boitier 1206 (3216M) ±0.1% 0.33W

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Vishay Résistance fixe CMS 1kΩ, boitier 1206 (3216M) ±0.1% 0.33W, Technologie: Film couche mince, MPN: PEP1206Z1001BGTA

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Vishay Résistance Fixe CMS 1kΩ, Boitier 1206 (3216M) ±0.1% 0.33W

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Specifications of Vishay Résistance Fixe CMS 1kΩ, Boitier 1206 (3216M) ±0.1% 0.33W

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ROHM Diode CMS, 1A, 600V, SOD-123FL

ROHM Diode CMS, 1A, 600V, SOD-123FL

ROHM Diode CMS, 1A, 600V, SOD-123FL, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Usage général, Type diode: Redresseur, Technologie de diode: Jonction au silicium, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 25A, MPN: RR268MM-600TR.

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    STMicroelectronics MOSFET canal N, A-220 10 A 500 V, 3 broches

    STMicroelectronics MOSFET canal N, A-220 10 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 520 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 9.15mm, MPN: STP11NK50Z.

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    5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 9.STMicroelectronics MOSFET canal N, A-220 10 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 520 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.

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