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Infineon MOSFET Canal N, SOIC 8,1 A 30 V, 8 Broches

About The .1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0

Infineon MOSFET canal N, SOIC 8,1 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 23 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.5V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRL6372TRPBF

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Infineon MOSFET Canal N, SOIC 8,1 A 30 V, 8 Broches

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, SOIC 8,1 A 30 V, 8 Broches

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