STMicroelectronics Transistor MOSFET Canal N, A-220 25 A, 3 Broches
About The 75mm, MPN: STP26N65DM2.6V, Hauteur: 15
STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N, A-220 25 A, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 μm Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 160 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Tension directe de la diode: 1.6V, Hauteur: 15.75mm, MPN: STP26N65DM2
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STMicroelectronics Transistor MOSFET Canal N, A-220 25 A, 3 Broches
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Specifications of STMicroelectronics Transistor MOSFET Canal N, A-220 25 A, 3 Broches | |
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