Vishay MOSFET canal P, TO-252AA 50 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 28 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: -3V, Tension de seuil minimale de la grille: -1V, Dissipation de puissance maximum: 113 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: -1.6V, MPN: SUD50P06-15-GE3
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Vishay MOSFET Canal P, TO-252AA 50 A 60 V, 3 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal P, TO-252AA 50 A 60 V, 3 Broches | |
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