STMicroelectronics Transistor MOSFET Canal N, PowerFLAT 8 X 8 HV 15 A 600 V, 5 Broches
About The 9mm, MPN: STL26N60DM6.25V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Tension directe de la diode: 1
STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N, PowerFLAT 8 x 8 HV 15 A 600 V, 5 broches, Type de boîtier: PowerFLAT™, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 215 m Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.25V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Tension directe de la diode: 1.6V, Hauteur: 0.9mm, MPN: STL26N60DM6
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
STMicroelectronics Transistor MOSFET Canal N, PowerFLAT 8 X 8 HV 15 A 600 V, 5 Broches
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Specifications of STMicroelectronics Transistor MOSFET Canal N, PowerFLAT 8 X 8 HV 15 A 600 V, 5 Broches | |
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