Mobilemark Antenne GSM Et GPRS 3G (UTMS), 4G (LTE) 3dBi, 1 700 → 2 700 MHz

Name: Mobilemark Antenne GSM Et GPRS 3G (UTMS), 4G (LTE) 3dBi, 1 700 → 2 700 MHz! Mobilemark
Brand: Mobilemark
SKU: CAXB-94025
Price: 305.21 EUR
Availability: InStock

About The 444m, Série: OD3, MPN: OD3-700/2700MOD2-BLK.Mobilemark Antenne GSM et GPRS 3G (UTMS), 4G (LTE) 3dBi, 1 700 → 2 700 MHz, Type de montage de l’antenne: Mur/Pôle, Directivité de l’antenne: Omnidirectionnelle, Longueur de câble: 0

Mobilemark Antenne GSM et GPRS 3G (UTMS), 4G (LTE) 3dBi, 1 700 → 2 700 MHz, Type de montage de l’antenne: Mur/Pôle, Directivité de l’antenne: Omnidirectionnelle, Longueur de câble: 0.444m, Série: OD3, MPN: OD3-700/2700MOD2-BLK

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Mobilemark Antenne WiFi UFL ISM Band 2dBi

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Specifications of Mobilemark Antenne GSM Et GPRS 3G (UTMS), 4G (LTE) 3dBi, 1 700 → 2 700 MHz
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Last Updated December 23rd, 2023 06:01 pm

Mobilemark Antenne GSM Et GPRS 3G (UTMS), 4G (LTE) 3dBi, 1 700 → 2 700 MHz

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Rating :- 9.69 /10

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JST Embase pour CI, JFA J300, 3 pôles, 5.08mm 1 rangée, 10.5A, Droit

JST Embase pour CI, JFA J300, 3 pôles, 5.

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onsemi MOSFET canal N, A-247 65 A 650 V, 3 broches

87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NTHL040N65S3HF.onsemi MOSFET canal N, A-247 65 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 446 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 15.

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onsemi Diode traversante ON Semiconductor, 35A, 1700V, A-247

8V, Technologie de diode: Schottky SiC, MPN: NDSH25170A.onsemi Diode traversante ON Semiconductor, 35A, 1700V, A-247, Configuration de diode: Simple, Type diode: Schottky, Chute minimale de tension directe: 2.

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Composants discrets

Diodes Schottky et de redressements

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