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Mobilemark Antenne WiFi UFL ISM Band 2dBi

About The Mobilemark Antenne WiFi UFL ISM Band 2dBi, Aspect physique de l’antenne: Plaquette adhésive, Plage de fréquence: 900 MHz, 2,4 GHz, Type de montage: PCB, Longueur du câble: 152mm, Température d'utilisation maximum: +80°C, Température d'utilisation minimum: -30°C, MPN: EM-900/2400-0R0R-6

Mobilemark Antenne WiFi UFL ISM Band 2dBi, Aspect physique de l’antenne: Plaquette adhésive, Plage de fréquence: 900 MHz, 2,4 GHz, Type de montage: PCB, Longueur du câble: 152mm, Température d'utilisation maximum: +80°C, Température d'utilisation minimum: -30°C, MPN: EM-900/2400-0R0R-6

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Mobilemark Antenne WiFi UFL ISM Band 2dBi

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Specifications of Mobilemark Antenne WiFi UFL ISM Band 2dBi

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Mobilemark Antenne WiFi UFL ISM Band 2dBi
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Omron E/S numérique pour Série GX

Omron E/S numérique pour Série GX

Omron E/S numérique pour Série GX, Gamme: Esclave EtherCAT, MPN: GXMD1621.

  • Omron
    • JST Embase pour CI, JFA J300, 3 pôles, 5.08mm 1 rangée, 10.5A, Droit

    JST Embase pour CI, JFA J300, 3 pôles, 5.08mm 1 rangée, 10.5A, Droit

    08mm 1 rangée, 10.5A, Droit, Enveloppé/Non-Enveloppé: Enveloppé, Système de connecteurs: Fil à Carte, Type de montage: Traversant, Type de raccordement: A souder, Matériau du contact: Alliage de cuivre, Tension: 600,0 V, MPN: B03B-F32SK-GGXR.JST Embase pour CI, JFA J300, 3 pôles, 5.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Connecteurs
  • Boîtiers et connecteurs pour circuits imprimés
  • Embases circuits imprimés
  • JST
    • onsemi MOSFET canal N, A-247 65 A 650 V, 3 broches

    onsemi MOSFET canal N, A-247 65 A 650 V, 3 broches

    onsemi MOSFET canal N, A-247 65 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 446 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NTHL040N65S3HF.

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  • Semi-conducteurs
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  • Transistors MOSFET
  • onsemi
    • onsemi Diode traversante ON Semiconductor, 35A, 1700V, A-247

    onsemi Diode traversante ON Semiconductor, 35A, 1700V, A-247

    8V, Technologie de diode: Schottky SiC, MPN: NDSH25170A.onsemi Diode traversante ON Semiconductor, 35A, 1700V, A-247, Configuration de diode: Simple, Type diode: Schottky, Chute minimale de tension directe: 2.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Diodes Schottky et de redressements
  • onsemi
    • onsemi Diode traversante ON Semiconductor, 35A, 1700V, A-247

    onsemi Diode traversante ON Semiconductor, 35A, 1700V, A-247

    8V, Technologie de diode: Schottky SiC, MPN: NDSH25170A.

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  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Diodes Schottky et de redressements
  • onsemi