onsemi MOSFET canal N, DFNW8 533 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 480 μΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 245 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 8.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NTMTS0D6N04CTXG
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Onsemi MOSFET Canal N, DFNW8 533 A 40 V, 8 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, DFNW8 533 A 40 V, 8 Broches | |
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