Taiwan Semiconductor Diode traversante, 1A, 1000V, DO-41, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Recouvrement rapide, Type diode: Jonction au silicium, Nombre de broche: 2, Chute minimale de tension directe: 1.3V, Temps de recouvrement inverse crête: 500ns, Diamètre: 2.7mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 30A, MPN: FR107G
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Taiwan Semiconductor Diode Traversante, 1A, 1000V, DO-41
Specifications of Taiwan Semiconductor Diode Traversante, 1A, 1000V, DO-41 | |
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