Infineon MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 23,8 A 650 V, 3 Broches
About The 9V, Hauteur: 9.45mm, MPN: IPB60R160P6ATMA1
Infineon MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 23,8 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 176 W, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 0.9V, Hauteur: 9.45mm, MPN: IPB60R160P6ATMA1
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Infineon MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 23,8 A 650 V, 3 Broches
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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 23,8 A 650 V, 3 Broches | |
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