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INA Roulement à Rouleaux, Réf HK4512-B, Diam Int 45mm, Diam Ext 52mm

About The INA Roulement à rouleaux, réf HK4512-B, diam int 45mm, diam ext 52mm, Type de roulement à rouleaux: Douilles à aiguilles, Largeur de bague: 12mm, Type d'alésage: Parallèle, Charge statique nominale: 27500N, Matériau de la cage: Feuille d'acier, Capacité de charge dynamique: 14900N, Type de terminaison: Etanche, Charge limite de fatigue: 3650N

INA Roulement à rouleaux, réf HK4512-B, diam int 45mm, diam ext 52mm, Type de roulement à rouleaux: Douilles à aiguilles, Largeur de bague: 12mm, Type d'alésage: Parallèle, Charge statique nominale: 27500N, Matériau de la cage: Feuille d'acier, Capacité de charge dynamique: 14900N, Type de terminaison: Etanche, Charge limite de fatigue: 3650N

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INA Roulement à Rouleaux, Réf HK4512-B, Diam Int 45mm, Diam Ext 52mm

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Specifications of INA Roulement à Rouleaux, Réf HK4512-B, Diam Int 45mm, Diam Ext 52mm

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DiodesZetex Transistor, PNP Simple, -800 mA, -45 V, SOT-23, 3 broches
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  • DiodesZetex
    • DiodesZetex MOSFET canal N, SOT-89 2,5 A 60 V, 3 broches

    DiodesZetex MOSFET canal N, SOT-89 2,5 A 60 V, 3 broches

    6mm, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: ZXMN6A07ZTA.

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    • DiodesZetex Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches

    DiodesZetex Transistor, NPN Simple, 100 mA, 50 V, SOT-23, 3 broches

    4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0.15 V, MPN: FMMT413TD.05 x 1.

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    • DiodesZetex MOSFET canal N, E ligne 320 mA 100 V, 3 broches

    DiodesZetex MOSFET canal N, E ligne 320 mA 100 V, 3 broches

    4V, Dissipation de puissance maximum: 700 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 4.DiodesZetex MOSFET canal N, E ligne 320 mA 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.

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    DiodesZetex MOSFET canal N, E ligne 320 mA 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Dissipation de puissance maximum: 700 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 4.77mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: ZVN2110ASTZ.

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