STMicroelectronics MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 13 A 100 V, 3 Broches
About The .STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 13 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6
STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 13 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STD10NF10T4
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STMicroelectronics MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 13 A 100 V, 3 Broches
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Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 13 A 100 V, 3 Broches | |
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