Infineon MOSFET Canal N, TO247-4 26 A 650 V, 4 Broches
About The Infineon MOSFET canal N, TO247-4 26 A 650 V, 4 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,111 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.7V, Matériau du transistor: Silicium, Série: CoolSiC, MPN: IMZA65R083M1HXKSA1
Infineon MOSFET canal N, TO247-4 26 A 650 V, 4 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,111 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.7V, Matériau du transistor: Silicium, Série: CoolSiC, MPN: IMZA65R083M1HXKSA1
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Infineon MOSFET Canal N, TO247-4 26 A 650 V, 4 Broches
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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, TO247-4 26 A 650 V, 4 Broches | |
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