Onsemi MOSFET, Canale P, 10 Ω, 120 MA, SOT-23, Montaggio Superficiale
About The onsemi MOSFET, canale P, 10 Ω, 120 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.93mm, Lunghezza: 2
onsemi MOSFET, canale P, 10 Ω, 120 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.93mm, Lunghezza: 2.92mm, MPN: NDS0610
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET, Canale P, 10 Ω, 120 MA, SOT-23, Montaggio Superficiale
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Specifications of Onsemi MOSFET, Canale P, 10 Ω, 120 MA, SOT-23, Montaggio Superficiale | |
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