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Ebm-papst Ventola Assiale In C.c. 4400, 184m³/h, 12 V Dc, 119 X 119 X 38mm

About The 8W, Livello di rumore: 42dB, Velocità ventola: 3300giri/min, Tipo di cuscinetto: Sfera, MPN: 4412M.c

4400, 184m³/h, 12 V dc, 119 x 119 x 38mm, Altezza: 119mm, Consumo energetico: 3.8W, Livello di rumore: 42dB, Velocità ventola: 3300giri/min, Tipo di cuscinetto: Sfera, MPN: 4412M ebm-papst Ventola assiale in c.c.

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Ebm-papst Ventola Assiale In C.c. 4400, 184m³/h, 12 V Dc, 119 X 119 X 38mm

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Specifications of Ebm-papst Ventola Assiale In C.c. 4400, 184m³/h, 12 V Dc, 119 X 119 X 38mm

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Hengstler Staffa di montaggio per uso con Encoder rotativo RI58-D

Hengstler Staffa di montaggio per uso con Encoder rotativo RI58-D

Hengstler Staffa di montaggio per uso con Encoder rotativo RI58-D, MPN: RS1-531-162.

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    • Orbit Sovrapantaloni di col.

    Orbit Sovrapantaloni di col.

    Arancione, Alta visibilità, impermeabile.Arancione, Alta visibilità, impermeabile, Materiale: 100% poliestere, MPN: HVTR01-XL Orbit Sovrapantaloni di col.

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    • ifm electronic Adattatore per uso con Cilindro con scanalatura trapezoidale

    ifm electronic Adattatore per uso con Cilindro con scanalatura trapezoidale

    ifm electronic Adattatore per uso con Cilindro con scanalatura trapezoidale, MPN: E11796.

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    • IXYS MOSFET, canale N, 95 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro

    IXYS MOSFET, canale N, 95 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro

    96mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFK64N60P3.IXYS MOSFET, canale N, 95 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,13 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 19.

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    IXYS MOSFET, canale N, 95 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro

    96mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFK64N60P3.IXYS MOSFET, canale N, 95 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,13 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 19.

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