onsemi MOSFET, canale P, 24 mΩ, 8 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FDS6375
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Onsemi MOSFET, Canale P, 24 MΩ, 8 A, SOIC, Montaggio Superficiale
Specifications of Onsemi MOSFET, Canale P, 24 MΩ, 8 A, SOIC, Montaggio Superficiale | |
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