reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Componenti Elettronici e Connettori
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
onsemi

Onsemi MOSFET, Canale P, 24 MΩ, 8 A, SOIC, Montaggio Superficiale

About The 4V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FDS6375.onsemi MOSFET, canale P, 24 mΩ, 8 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0

onsemi MOSFET, canale P, 24 mΩ, 8 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FDS6375

Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET

Onsemi MOSFET, Canale P, 24 MΩ, 8 A, SOIC, Montaggio Superficiale

Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET

Specifications of Onsemi MOSFET, Canale P, 24 MΩ, 8 A, SOIC, Montaggio Superficiale

Category
Instockinstock

Last Updated

Onsemi MOSFET, Canale P, 24 MΩ, 8 A, SOIC, Montaggio Superficiale
More Varieties

Rating :- 9.68 /10
Votes :- 6