Infineon MOSFET, Canale N, 0.6 Ω, 8 A, TO-252, Montaggio Superficiale
About The 5V, Numero di elementi per chip: 1, Serie: CoolMOS P7, MPN: IPD80R600P7ATMA1.6 Ω, 8 A, TO-252, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3
Infineon MOSFET, canale N, 0.6 Ω, 8 A, TO-252, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Numero di elementi per chip: 1, Serie: CoolMOS P7, MPN: IPD80R600P7ATMA1
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET, Canale N, 0.6 Ω, 8 A, TO-252, Montaggio Superficiale
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Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 0.6 Ω, 8 A, TO-252, Montaggio Superficiale | |
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