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Infineon MOSFET, Canale N, 0,0029 O, 165 A, PG HSOG-8 (TOLG), Montaggio Superficiale

About The 8V, Serie: OptiMOS-5, MPN: IAUS165N08S5N029ATMA1.Infineon MOSFET, canale N, 0,0029 O, 165 A, PG HSOG-8 (TOLG), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3

Infineon MOSFET, canale N, 0,0029 O, 165 A, PG HSOG-8 (TOLG), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.8V, Serie: OptiMOS-5, MPN: IAUS165N08S5N029ATMA1

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Infineon MOSFET, Canale N, 0,0029 O, 165 A, PG HSOG-8 (TOLG), Montaggio Superficiale

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Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 0,0029 O, 165 A, PG HSOG-8 (TOLG), Montaggio Superficiale

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TE Connectivity Connettore automotive, Femmina, 6 vie, 3 file

TE Connectivity Connettore automotive, Femmina, 6 vie, 3 file

TE Connectivity Connettore automotive, Femmina, 6 vie, 3 file, Tipo: Corpo del connettore per uso automobilistico, Serie: AMP MCP 2.

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    Infineon MOSFET, canale N, 0,064 O, 19 A, TO-252, Montaggio superficiale, MPN: IPD15N06S2L64ATMA2.

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    • Infineon MOSFET, canale N, 0,0154 O, 50 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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    Infineon MOSFET, canale N, 0,0154 O, 50 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 120 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Serie: OptiMOS-T, MPN: IPB50N12S3L15ATMA1.

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    TE Connectivity Resistenza serie EP, 68Ω, 5W, ±5%

    TE Connectivity Resistenza serie EP, 68Ω, 5W, ±5%, Tecnologia: Filo avvolto, Temperatura operativa massima: +155°C, Coefficiente di temperatura: ±300ppm/°C, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: EP5W68RJ.

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    TE Connectivity Resistenza serie EP, 68Ω, 5W, ±5%, Tecnologia: Filo avvolto, Temperatura operativa massima: +155°C, Coefficiente di temperatura: ±300ppm/°C, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: EP5W68RJ.

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