Onsemi Diodo TVS, Unidirezionale,, SMD, Bloccaggio 6.6V, Breakdown 6.4V, X2DFN

, Vout 5V cc, 5kV ac Sì, Tensione di ingresso nominale: 48 V c.

3V, breakdown 40.9V, DO-214AA (SMB), Configurazione diodi: Singolo, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dissipazione della potenza di picco dell'impulso: 600W, MPN: P6SMB43AHM3_A/H.Vishay Diodo TVS, Bidirezionale, unidirezionale,, SMD, bloccaggio 59.

4W, Standard per uso automobilistico: AEC-Q200 Qualified, Temperatura operativa minima: -55°C, Temperatura operativa massima: +155°C.

Infineon Transistor MOSFET, canale N, 11 mΩ, 88 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPP110N20N3GXKSA1.

Infineon Transistor MOSFET, canale N, 11 mΩ, 88 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.