Onsemi MOSFET, Canale N, 7 MΩ, 18 A, SOIC, Montaggio Superficiale
About The onsemi MOSFET, canale N, 7 mΩ, 18 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDS86540
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Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET, Canale N, 7 MΩ, 18 A, SOIC, Montaggio Superficiale
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Specifications of Onsemi MOSFET, Canale N, 7 MΩ, 18 A, SOIC, Montaggio Superficiale | |
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