Infineon MOSFET, canale P, 130 mΩ, 2,9 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2.1V, Dissipazione di potenza massima: 10,8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 40mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: BSP613PH6327XTSA1
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Infineon MOSFET, Canale P, 130 MΩ, 2,9 A, SOT-223, Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale P, 130 MΩ, 2,9 A, SOT-223, Montaggio Superficiale | |
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