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Wurth Elektronik

Wurth Elektronik Condensatore, Serie WCAP-ATUL, 56μF, 35V Cc, ±20%, +105°C, Radiale, Foro Passante

About The Wurth Elektronik Condensatore, serie WCAP-ATUL, 56μF, 35V cc, ±20%, +105°C, Radiale, Foro passante, Capacità: 56µF, Tecnologia: Elettrolitico all'alluminio, Dimensioni: 6.) x 11mm, Temperatura operativa minima: -40°C, Diametro: 6

Wurth Elektronik Condensatore, serie WCAP-ATUL, 56μF, 35V cc, ±20%, +105°C, Radiale, Foro passante, Capacità: 56µF, Tecnologia: Elettrolitico all'alluminio, Dimensioni: 6.3 (Dia.) x 11mm, Temperatura operativa minima: -40°C, Diametro: 6.3mm, Passo: 2.5mm, Durata: 5000h, Corrente di perdita: 19,6 μA, Corrente di ripple: 330mA, MPN: 860040573003

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Wurth Elektronik Condensatore, Serie WCAP-ATUL, 56μF, 35V Cc, ±20%, +105°C, Radiale, Foro Passante

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Specifications of Wurth Elektronik Condensatore, Serie WCAP-ATUL, 56μF, 35V Cc, ±20%, +105°C, Radiale, Foro Passante

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Wurth Elektronik Condensatore polimerico, 15μF, 50V cc, SMD

Wurth Elektronik Condensatore polimerico, 15μF, 50V cc, SMD

Wurth Elektronik Condensatore polimerico, 15μF, 50V cc, SMD, MPN: 875105744003.

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    • Rittal Armadio Rack 42U serie TX Cablenet

    Rittal Armadio Rack 42U serie TX Cablenet

    Rittal Armadio Rack 42U serie TX Cablenet, Colore: Grigio, Dimensioni esterne: 2000 x 800 x 800mm, Larghezza esterna: 800 mm, Materiale esterno contenitore: Acciaio, MPN: 7888208.

  • Cavi & Elettricità e Automazione
  • Contenitori e Rack
  • Rack 19 pollici
  • Armadi Rack
  • Rittal
    • Infineon MOSFET, canale N, 1,4 mΩ, 240 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

    Infineon MOSFET, canale N, 1,4 mΩ, 240 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

    Infineon MOSFET, canale N, 1,4 mΩ, 240 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tipo di package: D2PAK (TO-263), Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.

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    • Vishay MOSFET, canale P, 11 mΩ, 50 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

    Vishay MOSFET, canale P, 11 mΩ, 50 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

    Vishay MOSFET, canale P, 11 mΩ, 50 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.41mm, MPN: SQM50P03-07_GE3.5V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 4.

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    Vishay MOSFET, canale P, 11 mΩ, 50 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

    41mm, MPN: SQM50P03-07_GE3.Vishay MOSFET, canale P, 11 mΩ, 50 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.

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