STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 340 MΩ, 11 A, D2PAK, Montaggio Superficiale
About The STMicroelectronics MOSFET, canale N, 340 mΩ, 11 A, D2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 710 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 85 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB15N65M5
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 340 mΩ, 11 A, D2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 710 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 85 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB15N65M5
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 340 MΩ, 11 A, D2PAK, Montaggio Superficiale
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Specifications of STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 340 MΩ, 11 A, D2PAK, Montaggio Superficiale | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
Last Updated
Rating :- 9.3 /10
Votes :- 6
