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Amphenol ICC Connettore IDC Amphenol FCI Femmina, 12 Vie, 2 File, Passo 2.0mm, Montaggio Su Cavo

About The .0mm, Montaggio su cavo, Orientamento: Angolo destro, Corrente nominale: 1A, Placcatura contatto: Oro su nichel, Serie: Minitek, Minima temperatura operativa: -40

Amphenol ICC Connettore IDC Amphenol FCI Femmina, 12 vie, 2 file, passo 2.0mm, Montaggio su cavo, Orientamento: Angolo destro, Corrente nominale: 1A, Placcatura contatto: Oro su nichel, Serie: Minitek, Minima temperatura operativa: -40.0°C, Massima temperatura operativa: 105.0°C, Tensione nominale: 650,0 V c.a., Materiale contatto: Bronzo fosforoso, Materiale custodia: PBT, MPN: 89361-712SLF

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Specifications of Amphenol ICC Connettore IDC Amphenol FCI Femmina, 12 Vie, 2 File, Passo 2.0mm, Montaggio Su Cavo

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Cosel Alimentatore switching LFA100F-5-SNY, 100W, ingresso 85 → 264V ca, uscita 5V cc, 20A

Cosel Alimentatore switching LFA100F-5-SNY, 100W, ingresso 85 → 264V ca, uscita 5V cc, 20A

Cosel Alimentatore switching LFA100F-5-SNY, 100W, ingresso 85 → 264V ca, uscita 5V cc, 20A, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Tipo di contenitore: Chiuso, Lunghezza: 185mm, Larghezza: 72mm, Profondità: 45mm, Efficienza: 84%, Temperatura massima: +70°C, Temperatura minima: -10°C, Peso: 480g.

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    • Omron Relè monostabile serie MY(S), 4PDT, bobina 48V cc, A innesto

    Omron Relè monostabile serie MY(S), 4PDT, bobina 48V cc, A innesto

    Omron Relè monostabile serie MY(S), 4PDT, bobina 48V cc, A innesto, Corrente di commutazione: 5A, Resistenza bobina: 2560 Ω, Potenza bobina: 900mW, MPN: MY4N DC48(S).

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    • SKF Spessore pretagliato Acciaio inossidabile, 100mm x 100mm x 2mm Grigio

    SKF Spessore pretagliato Acciaio inossidabile, 100mm x 100mm x 2mm Grigio

    SKF Spessore pretagliato Acciaio inossidabile, 100mm x 100mm x 2mm Grigio, Larghezza slot: 32mm, MPN: TMAS 100-200.

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    • onsemi Transistor MOSFET + diodo, canale N, 125 mΩ, 24 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

    onsemi Transistor MOSFET + diodo, canale N, 125 mΩ, 24 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

    onsemi Transistor MOSFET + diodo, canale N, 125 mΩ, 24 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.

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    • onsemi Transistor MOSFET + diodo, canale N, 125 mΩ, 24 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

    onsemi Transistor MOSFET + diodo, canale N, 125 mΩ, 24 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

    onsemi Transistor MOSFET + diodo, canale N, 125 mΩ, 24 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Serie: SUPERFET III, MPN: FCB125N65S3.

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