Infineon MOSFET, Canale P, 75 MΩ, 30 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale
About The 7V, Altezza: 2.Infineon MOSFET, canale P, 75 mΩ, 30 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1
Infineon MOSFET, canale P, 75 mΩ, 30 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.7V, Altezza: 2.41mm, Lunghezza: 6.73mm, MPN: SPD30P06P G
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Infineon MOSFET, Canale P, 75 MΩ, 30 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale
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Specifications of Infineon MOSFET, Canale P, 75 MΩ, 30 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale | |
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