Vishay MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 3,1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -10 V, +10 V, Altezza: 4.83mm, Lunghezza: 10.67mm, MPN: IRL640SPBF
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Vishay MOSFET, Canale N, 180 MΩ, 17 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale
Specifications of Vishay MOSFET, Canale N, 180 MΩ, 17 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale | |
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