Infineon MOSFET, Canale N, 5 MΩ, 180 A, TO247AC, Su Foro
About The Infineon MOSFET, canale N, 5 mΩ, 180 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 370 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFP4110PBF
Infineon MOSFET, canale N, 5 mΩ, 180 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 370 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFP4110PBF
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET, Canale N, 5 MΩ, 180 A, TO247AC, Su Foro
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 5 MΩ, 180 A, TO247AC, Su Foro | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
Last Updated
Rating :- 9.61 /10
Votes :- 8
