Infineon MOSFET, canale N, 4 mΩ, 160 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 9.02mm, MPN: IRFB3306PBF
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET, Canale N, 4 MΩ, 160 A, TO-220AB, Su Foro
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 4 MΩ, 160 A, TO-220AB, Su Foro | |
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