reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Componenti Elettronici e Connettori
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
STMicroelectronics

STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio Superficiale

About The STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SCTH60N120G2-7

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SCTH60N120G2-7

Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET

STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio Superficiale

Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET

Specifications of STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio Superficiale

Category
Instockinstock

Last Updated

STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio Superficiale
More Varieties

Rating :- 9.29 /10
Votes :- 7