STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SCTH60N120G2-7
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STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio Superficiale
Specifications of STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio Superficiale | |
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