Infineon MOSFET, canale N, 0,18 Ω, 18 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: 600V CoolMOS P7, MPN: IPD60R180P7ATMA1
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Infineon MOSFET, Canale N, 0,18 Ω, 18 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 0,18 Ω, 18 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale | |
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