Onsemi MOSFET, Canale N, 82 MΩ, 40 A, TO-247, Su Foro
About The onsemi MOSFET, canale N, 82 mΩ, 40 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 313 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTHL082N65S3F
onsemi MOSFET, canale N, 82 mΩ, 40 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 313 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTHL082N65S3F
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET, Canale N, 82 MΩ, 40 A, TO-247, Su Foro
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Specifications of Onsemi MOSFET, Canale N, 82 MΩ, 40 A, TO-247, Su Foro | |
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