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Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor Diodo Taiwan, Su Foro, 1A, 30V, DO-41, Raddrizzatore Schottky

About The Taiwan Semiconductor Diodo Taiwan, Su foro, 1A, 30V, DO-41, Raddrizzatore Schottky, Configurazione diodi: Singolo, Numero pin: 2, Caduta di tensione diretta massima: 875mV, Tecnologia del diodo: Barriera Schottky, Diametro: 2.7mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 30A, MPN: 1N5818

Taiwan Semiconductor Diodo Taiwan, Su foro, 1A, 30V, DO-41, Raddrizzatore Schottky, Configurazione diodi: Singolo, Numero pin: 2, Caduta di tensione diretta massima: 875mV, Tecnologia del diodo: Barriera Schottky, Diametro: 2.7mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 30A, MPN: 1N5818

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Specifications of Taiwan Semiconductor Diodo Taiwan, Su Foro, 1A, 30V, DO-41, Raddrizzatore Schottky

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onsemi Diodo Zener, 20V, Su foro, 5 W, DO-15

onsemi Diodo Zener, 20V, Su foro, 5 W, DO-15

68mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, Minima temperatura operativa: -65 °C, MPN: 1N5357BRLG.

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    • TE Connectivity Corpo connettore per terminali a crimpare 2 vie, Nylon 66, largh.

    TE Connectivity Corpo connettore per terminali a crimpare 2 vie, Nylon 66, largh.

    9mm, Colore: Naturale, Serie: AMP FASTIN-FASTON, MPN: 180907-5 TE Connectivity Corpo connettore per terminali a crimpare 2 vie, Nylon 66, largh.

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    • onsemi Diodo Zener, 17V, Su foro, 5 W, DO-15

    onsemi Diodo Zener, 17V, Su foro, 5 W, DO-15

    68mm, Dimensioni: 8.68 x 3.89mm, Larghezza: 3.

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    • Usag Chiave dinamometrica a scatto, attacco Rettangolare, coppia da 1 → 5Nm

    Usag Chiave dinamometrica a scatto, attacco Rettangolare, coppia da 1 → 5Nm

    Usag Chiave dinamometrica a scatto, attacco Rettangolare, coppia da 1 → 5Nm, Tipo: Regolabile, MPN: U08114000.

  • Meccanica & Potenza fluida e Utensili
  • Utensili manuali
  • Chiavi a bussola e chiavi inglesi
  • Chiavi dinamometriche
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    • Usag Estrattore per cuscinetti U04660002, 1 pezzi

    Usag Estrattore per cuscinetti U04660002, 1 pezzi

    Usag Estrattore per cuscinetti U04660002, 1 pezzi, Tipo di estrattore: Estrattore idraulico, Forza idraulica: 30t, Materiale contenitore: Acciaio al carbonio.

  • Meccanica & Potenza fluida e Utensili
  • Utensili manuali
  • Utensili per specialisti
  • Estrattori per cuscinetti
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    • STMicroelectronics Switch di alimentazione CI, TO-220, 3 pin, 70 V, 10A

    STMicroelectronics Switch di alimentazione CI, TO-220, 3 pin, 70 V, 10A

    4mm, Larghezza: 4.6 x 15.75mm, Lunghezza: 10.STMicroelectronics Switch di alimentazione CI, TO-220, 3 pin, 70 V, 10A, Power Switch Type: OMNIFET: MOSFET di potenza completamente autoprotetto, Tipo di montaggio: Su foro, Dimensioni: 10.

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  • Gestione alimentazione e potenza
  • Switch di alimentazione CI
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    • Taiwan Semiconductor Diodo Taiwan, Su foro, 1A, 30V, DO-41, Raddrizzatore Schottky

    Taiwan Semiconductor Diodo Taiwan, Su foro, 1A, 30V, DO-41, Raddrizzatore Schottky

    7mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 30A, MPN: 1N5818.

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  • Taiwan Semiconductor
    • onsemi MOSFET, canale N, 82 mΩ, 40 A, TO-247, Su foro

    onsemi MOSFET, canale N, 82 mΩ, 40 A, TO-247, Su foro

    87mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTHL082N65S3F.onsemi MOSFET, canale N, 82 mΩ, 40 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 313 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 15.

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    Taiwan Semiconductor Diodo Taiwan, Su foro, 1A, 30V, DO-41, Raddrizzatore Schottky

    Taiwan Semiconductor Diodo Taiwan, Su foro, 1A, 30V, DO-41, Raddrizzatore Schottky, Configurazione diodi: Singolo, Numero pin: 2, Caduta di tensione diretta massima: 875mV, Tecnologia del diodo: Barriera Schottky, Diametro: 2.7mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 30A, MPN: 1N5818.

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    • onsemi MOSFET, canale N, 82 mΩ, 40 A, TO-247, Su foro

    onsemi MOSFET, canale N, 82 mΩ, 40 A, TO-247, Su foro

    87mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTHL082N65S3F.onsemi MOSFET, canale N, 82 mΩ, 40 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 313 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 15.

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