Vishay MOSFET, canale N, 2,4 Ω, 1,15 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.02mm, Lunghezza: 3.04mm, MPN: SI2328DS-T1-GE3
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Vishay MOSFET, Canale N, 2,4 Ω, 1,15 A, SOT-23, Montaggio Superficiale
Specifications of Vishay MOSFET, Canale N, 2,4 Ω, 1,15 A, SOT-23, Montaggio Superficiale | |
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