Onsemi MOSFET, Canale N, 350 MΩ, 1,7 A, SOT-223, Montaggio Superficiale
About The onsemi MOSFET, canale N, 350 mΩ, 1,7 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FQT7N10LTF
onsemi MOSFET, canale N, 350 mΩ, 1,7 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FQT7N10LTF
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Onsemi MOSFET, Canale N, 350 MΩ, 1,7 A, SOT-223, Montaggio Superficiale
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