Nexperia MOSFET, Canale N, 8 MΩ, 67 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio Superficiale
About The Nexperia MOSFET, canale N, 8 mΩ, 67 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 62,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PH8230E,115
Nexperia MOSFET, canale N, 8 mΩ, 67 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 62,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PH8230E,115
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Nexperia MOSFET, Canale N, 8 MΩ, 67 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio Superficiale
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Specifications of Nexperia MOSFET, Canale N, 8 MΩ, 67 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio Superficiale | |
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