Vishay MOSFET, Canale N, 51 MΩ, 5,6 A, SOT-23, Montaggio Superficiale
About The 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SI2318CDS-T1-GE3
Vishay MOSFET, canale N, 51 mΩ, 5,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 2,1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SI2318CDS-T1-GE3
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Vishay MOSFET, Canale N, 51 MΩ, 5,6 A, SOT-23, Montaggio Superficiale
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Specifications of Vishay MOSFET, Canale N, 51 MΩ, 5,6 A, SOT-23, Montaggio Superficiale | |
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