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RS PRO

RS PRO Valvola A Sfera In Acciaio Inox, 1 1/4poll

About The RS PRO Valvola a sfera in Acciaio inox, 1 1/4poll, Tipo: Diametro interno completo, 2 vie, Tipo di attacco: Filettato, Filettatura standard: BSPP, Sicuro per l'utilizzo con: Gas, olio, acqua, Tipo maniglia: Leva, Pressione massima di esercizio (psi): 1000psi, Colore maniglia: Blu, Pressione massima di esercizio (bar): 68bar

RS PRO Valvola a sfera in Acciaio inox, 1 1/4poll, Tipo: Diametro interno completo, 2 vie, Tipo di attacco: Filettato, Filettatura standard: BSPP, Sicuro per l'utilizzo con: Gas, olio, acqua, Tipo maniglia: Leva, Pressione massima di esercizio (psi): 1000psi, Colore maniglia: Blu, Pressione massima di esercizio (bar): 68bar

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RS PRO Valvola A Sfera In Acciaio Inox, 1 1/4poll

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Specifications of RS PRO Valvola A Sfera In Acciaio Inox, 1 1/4poll

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Votes :- 10
ROHM Resistenza Film spesso, 0805 (2012M), ±1%, 0.4W

ROHM Resistenza Film spesso, 0805 (2012M), ±1%, 0.4W

4W, Serie: ESR10, MPN: ESR10EZPF3903.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Passivi
  • Resistori
  • Resistenze SMD
  • ROHM
    • ams OSRAM Diodo di emissione infrarossi a potenza elevata SMD, intensità 500mW/sr, lungh.
  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Display e optoelettronica
  • LED - Diodi a emissione di luce
  • LED a infrarossi
  • ams OSRAM
    • RS PRO Resistenza SMD Film spesso, ±5%

    RS PRO Resistenza SMD Film spesso, ±5%

    RS PRO Resistenza SMD Film spesso, ±5%.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Passivi
  • Resistori
  • Resistenze SMD
  • RS PRO
    • Infineon MOSFET, canale P, 130 mΩ, 1,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

    Infineon MOSFET, canale P, 130 mΩ, 1,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

    9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSS308PEH6327XTSA1.Infineon MOSFET, canale P, 130 mΩ, 1,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Semiconduttori
  • Discreti
  • MOSFET
  • Infineon
    • Infineon MOSFET, canale P, 130 mΩ, 1,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

    Infineon MOSFET, canale P, 130 mΩ, 1,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

    9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSS308PEH6327XTSA1.Infineon MOSFET, canale P, 130 mΩ, 1,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.

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  • Semiconduttori
  • Discreti
  • MOSFET
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