Infineon MOSFET, Canale N, 199 MΩ, 17 A, TO-220 FP, Su Foro
About The Infineon MOSFET, canale N, 199 mΩ, 17 A, TO-220 FP, Su foro, Tensione massima drain source: 550 V, Tipo di package: TO-220FP, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2
Infineon MOSFET, canale N, 199 mΩ, 17 A, TO-220 FP, Su foro, Tensione massima drain source: 550 V, Tipo di package: TO-220FP, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 139 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: IPA50R199CPXKSA1
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET, Canale N, 199 MΩ, 17 A, TO-220 FP, Su Foro
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Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 199 MΩ, 17 A, TO-220 FP, Su Foro | |
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