Infineon MOSFET, canale N, 340 mΩ, 15 A, TO-220 FP, Su foro, Tensione massima drain source: 900 V, Tipo di package: TO-220FP, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: IPA90R340C3XKSA1
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Infineon MOSFET, Canale N, 340 MΩ, 15 A, TO-220 FP, Su Foro
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 340 MΩ, 15 A, TO-220 FP, Su Foro | |
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