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Festo Cilindro Pneumatico Compatto ADN-S 8076378, Doppio Effetto, Foro Da 32mm, Corsa 20mm

About The Festo Cilindro pneumatico compatto ADN-S 8076378, Doppio effetto, foro da 32mm, corsa 20mm, MPN: ADN-S-32-20-I-P

Festo Cilindro pneumatico compatto ADN-S 8076378, Doppio effetto, foro da 32mm, corsa 20mm, MPN: ADN-S-32-20-I-P

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Festo Cilindro Pneumatico Compatto ADN-S 8076378, Doppio Effetto, Foro Da 32mm, Corsa 20mm

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Specifications of Festo Cilindro Pneumatico Compatto ADN-S 8076378, Doppio Effetto, Foro Da 32mm, Corsa 20mm

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Dialight LED

Dialight LED

84mm, Lunghezza: 9,57 mm, Angolo di vista: 60°, Picco lunghezza d'onda: 583 nm, Corrente nominale: 20 mA, MPN: 521-9248F.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Display e optoelettronica
  • LED - Diodi a emissione di luce
  • LED
  • Dialight
    • Vishay Resistenza SMD Film spesso, 46.4kΩ, 0805 (2012M), ±1%, 0.125W
  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Passivi
  • Resistori
  • Resistenze SMD
  • Vishay
    • Panasonic Resistenza SMD Film spesso, 5.11kΩ, 0805 (2012M), ±1%, 0.125W

    Panasonic Resistenza SMD Film spesso, 5.11kΩ, 0805 (2012M), ±1%, 0.125W

    11kΩ, 0805 (2012M), ±1%, 0.Panasonic Resistenza SMD Film spesso, 5.125W, Coefficiente di temperatura: ±100ppm/°C, Serie: ERJ, Temperatura operativa minima: -55°C, Temperatura operativa massima: +155°C, MPN: ERJ6ENF5111V.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Passivi
  • Resistori
  • Resistenze SMD
  • Panasonic
    • Renesas Electronics MOSFET, canale N, 0,0056 Ω, 40 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

    Renesas Electronics MOSFET, canale N, 0,0056 Ω, 40 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

    Renesas Electronics MOSFET, canale N, 0,0056 Ω, 40 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, MPN: RJK0656DPB-00#J5.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Semiconduttori
  • Discreti
  • MOSFET
  • Renesas Electronics
    • Renesas Electronics MOSFET, canale N, 0,0056 Ω, 40 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

    Renesas Electronics MOSFET, canale N, 0,0056 Ω, 40 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

    Renesas Electronics MOSFET, canale N, 0,0056 Ω, 40 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, MPN: RJK0656DPB-00#J5.

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