Vishay MOSFET, Canale P, 10 MΩ, 50 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale
About The Vishay MOSFET, canale P, 10 mΩ, 50 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SUD50P04-08-GE3
Vishay MOSFET, canale P, 10 mΩ, 50 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 73,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SUD50P04-08-GE3
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Vishay MOSFET, Canale P, 10 MΩ, 50 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale
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Specifications of Vishay MOSFET, Canale P, 10 MΩ, 50 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale | |
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