STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 8,5 Ω, 400 MA, SOT-223, Montaggio Superficiale
About The .7V, Tensione di soglia gate minima: 2
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8,5 Ω, 400 mA, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Tensione di soglia gate minima: 2.25V, Dissipazione di potenza massima: 3,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 6.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STN1HNK60
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 8,5 Ω, 400 MA, SOT-223, Montaggio Superficiale
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Specifications of STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 8,5 Ω, 400 MA, SOT-223, Montaggio Superficiale | |
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