Infineon MOSFET, Canale N, P, 250 MΩ, 280 MΩ, 1,5 A, TSOP-6, Montaggio Superficiale
About The 6 V, 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Lunghezza: 2
Infineon MOSFET, canale N, P, 250 mΩ, 280 mΩ, 1,5 A, TSOP-6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.6 V, 1.2V, Tensione di soglia gate minima: 0.7 V, 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSL215CH6327XTSA1
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET, Canale N, P, 250 MΩ, 280 MΩ, 1,5 A, TSOP-6, Montaggio Superficiale
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Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, P, 250 MΩ, 280 MΩ, 1,5 A, TSOP-6, Montaggio Superficiale | |
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