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ROHM Diodo Raddrizzatore E Schottky, Montaggio Superficiale, 3A, 60V, SOD-128

About The ROHM Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 3A, 60V, SOD-128, Configurazione diodi: Singolo, Serie: RBR3LAM60ATF, MPN: RBR3LAM60ATFTR

ROHM Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 3A, 60V, SOD-128, Configurazione diodi: Singolo, Serie: RBR3LAM60ATF, MPN: RBR3LAM60ATFTR

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ROHM Diodo Raddrizzatore E Schottky, Montaggio Superficiale, 3A, 60V, SOD-128

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Specifications of ROHM Diodo Raddrizzatore E Schottky, Montaggio Superficiale, 3A, 60V, SOD-128

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ROHM Diodo Raddrizzatore E Schottky, Montaggio Superficiale, 3A, 60V, SOD-128
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ROHM MOSFET, canale P, 250 mA, SOT-416FL, Montaggio superficiale

ROHM MOSFET, canale P, 250 mA, SOT-416FL, Montaggio superficiale

ROHM MOSFET, canale P, 250 mA, SOT-416FL, Montaggio superficiale, MPN: RE1E002SPTCL.

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    • Unigloves Guanti da lavoro, Tg.

    Unigloves Guanti da lavoro, Tg.

    10, XL, in Nylon.10, XL, in Nylon, Guanto per applicazioni principali: Presa e resistenza alle abrasioni, Resistente all'olio, Resistente al bagnato, Rivestimento del guanto: Schiuma di nitrile, Range: 270NFG*, MPN: 270NFG-10 Unigloves Guanti da lavoro, Tg.

  • DPI & Sicurezza & Strumentazione e IT
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    • ROHM MOSFET, canale N, 8 A, TO-252, Montaggio superficiale

    ROHM MOSFET, canale N, 8 A, TO-252, Montaggio superficiale

    ROHM MOSFET, canale N, 8 A, TO-252, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Numero di elementi per chip: 1, MPN: RD3L080SNTL1.

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    ROHM MOSFET, canale N, 8 A, TO-252, Montaggio superficiale

    ROHM MOSFET, canale N, 8 A, TO-252, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Numero di elementi per chip: 1, MPN: RD3L080SNTL1.

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