DiodesZetex MOSFET, canale N, 97 mΩ, 4,4 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2,14 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.5mm, MPN: DMN6066SSD-13
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
DiodesZetex MOSFET, Canale N, 97 MΩ, 4,4 A, SOIC, Montaggio Superficiale
Specifications of DiodesZetex MOSFET, Canale N, 97 MΩ, 4,4 A, SOIC, Montaggio Superficiale | |
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