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RS PRO Contenitore A Parete In Acciaio 1000 X 1000 X 300mm, Col. RAL 7032, IP66

About The RAL 7032, IP66, Altezza esterna: 1000 mm, Sportello trasparente: No, Tipo di serratura: Sistema a serratura tripla, Applicazione: Elettrico, Tipo di montaggio esterno: Staffa, Tipo di montaggio interno: Pannello, Caratteristiche speciali: IK10 contro gli impatti meccanici.

RAL 7032, IP66, Altezza esterna: 1000 mm, Sportello trasparente: No, Tipo di serratura: Sistema a serratura tripla, Applicazione: Elettrico, Tipo di montaggio esterno: Staffa, Tipo di montaggio interno: Pannello, Caratteristiche speciali: IK10 contro gli impatti meccanici RS PRO Contenitore a parete in Acciaio 1000 x 1000 x 300mm, col.

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RS PRO Contenitore A Parete In Acciaio 1000 X 1000 X 300mm, Col. RAL 7032, IP66

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Specifications of RS PRO Contenitore A Parete In Acciaio 1000 X 1000 X 300mm, Col. RAL 7032, IP66

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Rating :- 9.3 /10
Votes :- 10
Schneider Electric Contattore Controllo motori, serie LC1G185, 3 poli, 1 NA + 1 NC, 305 A, bobina 48 → 130 V
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    • TE Connectivity File di contatti PCB, 40 vie, 2 file, passo 2.54mm

    TE Connectivity File di contatti PCB, 40 vie, 2 file, passo 2.54mm

    54mm, Serie: AMP-LATCH, Orientamento: Ad angolo retto, Protetto/Non protetto: Protetto, Tipo di connettore: Filo-Scheda, Tipo di montaggio: Montaggio con foro passante, Terminazione: Saldare, Materiale contatto: Nichel, MPN: 5102321-9.

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    • onsemi MOSFET, canale P, 27 mΩ, 8,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

    onsemi MOSFET, canale P, 27 mΩ, 8,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

    onsemi MOSFET, canale P, 27 mΩ, 8,2 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.

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    onsemi MOSFET, canale P, 27 mΩ, 8,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

    onsemi MOSFET, canale P, 27 mΩ, 8,2 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDS4685.

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    onsemi MOSFET, canale P, 27 mΩ, 8,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

    onsemi MOSFET, canale P, 27 mΩ, 8,2 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDS4685.

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