Nexperia MOSFET, Canale N, 5,6 MΩ, 100 A, TO-220AB, Su Foro
About The Nexperia MOSFET, canale N, 5,6 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 306 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16mm, MPN: PSMN5R6-100PS,127
Nexperia MOSFET, canale N, 5,6 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 306 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16mm, MPN: PSMN5R6-100PS,127
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Nexperia MOSFET, Canale N, 5,6 MΩ, 100 A, TO-220AB, Su Foro
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Specifications of Nexperia MOSFET, Canale N, 5,6 MΩ, 100 A, TO-220AB, Su Foro | |
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