Infineon MOSFET, Canale N, 4,7 MΩ, 80 A, TO-220, Su Foro
About The Infineon MOSFET, canale N, 4,7 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 94 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10
Infineon MOSFET, canale N, 4,7 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 94 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPP034N03LGXKSA1
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET, Canale N, 4,7 MΩ, 80 A, TO-220, Su Foro
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Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 4,7 MΩ, 80 A, TO-220, Su Foro | |
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